摘要：
据报道，韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士正加快内存生产，以应对来自AI的需求。 报道称，三星电子近期不仅提升了韩国国内DRAM和NAND闪存的产线利用率，更重点扩大了高带宽内存（HBM）等高端产品的产出。 另外三星在11月决定平泽五厂恢复施工，预定2028年开始量产，以强化该公司的满足先进存储芯...
据报道，韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士正加快内存生产，以应对来自AI的需求。
报道称，三星电子近期不仅提升了韩国国内DRAM和NAND闪存的产线利用率，更重点扩大了高带宽内存（HBM）等高端产品的产出。
另外三星在11月决定平泽五厂恢复施工，预定2028年开始量产，以强化该公司的满足先进存储芯片需求的能力。
至于SK海力士，其位于清州的M15X新厂正紧锣密鼓准备投产，该厂将聚焦于DRAM和其他AI导向的存储产品。
业界高层表示，SK海力士正试图赶在原定的2027年前，完成位于龙仁半导体园区内的首座晶圆厂，该设施规模相当于六座M15X晶圆厂。
由于AI相关需求预期在未来几年持续激增，产能被视为竞争力的关键决定因素，根据Omdia的数据，全球DRAM市场规模预计在2026年前达到1700亿美元，高于2024年的1000亿美元。
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